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摘要：隨著科技的發(fā)展越來越多的未知被發(fā)現(xiàn)，越來越多的理論被表明?？梢哉f中國自古以來便崇尚著對(duì)稱美，不管在什么情況下總能找到與之對(duì)稱的。就好像門捷列夫在探索元素周期表時(shí)，一開始的研究他總是覺得缺少某些元素，在之后的研究中也確實(shí)發(fā)現(xiàn)了缺失的元素。其實(shí)我們會(huì)發(fā)現(xiàn)通過數(shù)學(xué)表達(dá)式也會(huì)出現(xiàn)缺少某樣?xùn)|西的感覺，這就引起了科學(xué)家蔡少棠的興趣。1971他發(fā)現(xiàn)了憶阻器的存在，并且提出一些有關(guān)憶阻器的現(xiàn)象。直到2008年該理論因惠普實(shí)驗(yàn)室研究小組采用納米技術(shù)實(shí)現(xiàn)了具有記憶特性的電阻而被證實(shí)。本文將通過憶阻器的特性和一些對(duì)憶阻器特性的影響參數(shù)來介紹一些基于憶阻器的一些簡(jiǎn)單應(yīng)用，以及憶阻器在未來的發(fā)展前景。
關(guān)鍵詞：憶阻器，特性，影響，發(fā)展前景
目錄 摘要 Abstract 1 前言-5 2 某些參數(shù)對(duì)憶阻器特性的影響-5 2.1 溫度改變對(duì)鈦氧化物憶阻器導(dǎo)電特性的影響-5 2.2 橫截面積參數(shù)對(duì)鈦氧化物憶阻器導(dǎo)電性的影響-5 3 基于憶阻器的一些簡(jiǎn)單應(yīng)用-6 3.1 基于憶電阻的混沌電路-7 3.1.1 荷控、磁控憶阻器的研發(fā)-7 3.1.2 基于荷控和磁控憶阻器的混沌電路-8 3.2 憶電阻在計(jì)算機(jī)科學(xué)中的應(yīng)用-8 3.3 憶電阻在通信工程中的應(yīng)用-9 3.4 憶電阻在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用-9 3.4.1 基于憶阻器混沌電路的改進(jìn)型細(xì)胞神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)-9 3.4.2 基于憶阻器的spiking神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)-10 4 憶阻器的發(fā)展前景-11 4.1 憶電阻與晶體管的區(qū)別-11 4.2 即開型PC將成為可能-11 5 結(jié)論-13 參考文獻(xiàn) 致謝 |
