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摘 要：利用密度泛函理論，我們系統(tǒng)研究了Co單體、二聚體、三聚體在單層的由四邊形和八邊形（4|8） 組成的晶界（GB）的氮化硼（BN）上的吸附性質(zhì)，包括結(jié)構(gòu)、能量和電磁性質(zhì)。與完美毫無缺陷的單層BN相比,吸附于4|8 晶界缺陷處的Co團(tuán)簇的吸附能增強(qiáng)了~10%，例如，在無缺陷的單層BN上，Co原子吸附能量約為0.77eV，而4|8晶界缺陷處，Co單體和二聚體的吸附能增加了~0.1eV，而Co三聚體增加了~0.2eV。更為有趣的是，吸附能的增加和與基底直接成鍵的Co原子的數(shù)量成正比。由4|8晶界缺陷處Co原子增強(qiáng)的吸附能主要是由于Co原子的d 軌道和局域于4|8晶界缺陷處的電子態(tài)之間的雜化相互作用。另一方面，晶界對被吸附物的電磁性質(zhì)影響較小。因此，存在線型缺陷的二維BN納米片相比于完美無缺陷的BN能更好的擔(dān)載過渡金屬原子，該方法可能也適用其他的二維材料，如MoS2和磷烯，利用晶界缺陷對于原子吸附能的增強(qiáng)作用，可以利用它們作為一維模板來自組裝過渡金屬原子納米線。 關(guān)鍵詞： 氮化硼（BN）、晶界、吸附、過渡金屬原子
目錄 摘要 Abstract 1 引言-3 1.1 二維單層BN的晶界缺陷-3 1.2 本文研究內(nèi)容-3 2 方法-4 3 結(jié)果與討論-5 3.1 Co單體的吸附構(gòu)型與吸附能-5 3.2 Co二聚體和三聚體的吸附構(gòu)型與吸附能-7 3.3 態(tài)密度和電荷密度-8 3.4 磁性質(zhì)-10 3.5 遷移勢壘-11 結(jié) 論-13 參 考 文 獻(xiàn)-14 致 謝-17 |
