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摘 要：相變存儲(chǔ)器具的特點(diǎn)主要有非易失性、周期長(zhǎng)、元件尺寸小等，它還有可以與已經(jīng)出現(xiàn)的集成電路工藝相容的優(yōu)勢(shì)，正因?yàn)榫哂羞@些特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，相變存儲(chǔ)器才會(huì)被當(dāng)作時(shí)最有潛力的下一代存儲(chǔ)器。本文對(duì)相變存儲(chǔ)器的工作原理進(jìn)行了簡(jiǎn)單描述，同時(shí)還介紹了它的優(yōu)點(diǎn)的表現(xiàn)，以及對(duì)其材料的運(yùn)用和原理進(jìn)行了綜合闡述，除此之外，還介紹了相變存儲(chǔ)器在國(guó)內(nèi)外的現(xiàn)狀以及未來的發(fā)展趨勢(shì)。
關(guān)鍵詞：相變存儲(chǔ)，工作原理，性能要求，發(fā)展趨勢(shì)，應(yīng)用
目錄 摘要 Abstract 1前言.4 2相變存儲(chǔ)器.4 2.1相變存儲(chǔ)器的工作原理.4 2.2相變存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn).5 2.3相變存儲(chǔ)器的缺點(diǎn) 5 3Ge-Sb-Te 相變存儲(chǔ)材料.6 3.1GST 相變存儲(chǔ)材料的簡(jiǎn)介6 3.2GST 相變存儲(chǔ)材料的微觀結(jié)構(gòu)6 3.3GST 相變存儲(chǔ)材料的相變機(jī)理7 3.4GST 相變存儲(chǔ)器材料的性能9 3.4.1 GST 相變存儲(chǔ)材料的電阻與溫度關(guān)系.9 3.4.2 沉積溫度對(duì) GST 相變存儲(chǔ)材料電學(xué)性質(zhì)的影響9 3.4.3 濺射氣壓對(duì) GST 相變存儲(chǔ)材料的薄膜光學(xué)常數(shù)的影響10 3.5GST 相變存儲(chǔ)材料的性能不足.10 3.6GTS 相變存儲(chǔ)器材料的摻雜改性.10 4相變存儲(chǔ)材料的未來發(fā)展及應(yīng)用 .13 4.1相變存儲(chǔ)材料的發(fā)展前景13 4.2相變存儲(chǔ)材料的應(yīng)用14 5結(jié)論15 參 考 文 獻(xiàn).16 致謝17 |
