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摘要:微電子技術(shù)現(xiàn)如今已成為重要的技術(shù)領(lǐng)域，芯片作為微電子技術(shù)的核心元件，其需求量和技術(shù)要求也越來越高。而化學(xué)機械拋光即CMP技術(shù)作為芯片制造的必不可少的技術(shù)，在集成電路的規(guī)模越來越大，電路越來越小，集成化程度越來越高的趨勢下，芯片的平整度要求也逐漸增高?；瘜W(xué)機械拋光拋光技術(shù)作為目前應(yīng)用最廣泛的實現(xiàn)芯片平坦化的技術(shù)。這項技術(shù)在實際應(yīng)用中影響拋光結(jié)果的因素眾多，拋光液的參與拋光的方式也是一個重要的因素。傳統(tǒng)的化學(xué)機械拋光技術(shù)拋光液主要是以液體的方式流到拋光盤上，然后以化學(xué)腐蝕和機械拋光結(jié)合的方式達到表面平坦化的目的。但這種方法拋光液的利用率極低，造成拋光過程中拋光液用量很大。直接導(dǎo)致化學(xué)機械拋光過程中耗材支出占總支出的60%~80%，而拋光液的支出又占耗材支出的60%~80%。為進一步降低拋光成本帶來阻礙。 本課題的研究內(nèi)容是由以上的缺陷而提出的課題。本課題提出將傳統(tǒng)化學(xué)機械拋光技術(shù)中拋光液以液體的方式參與拋光改為霧化狀態(tài)參與拋光。由超聲系統(tǒng)將拋光液精細霧化達到微米級。這將大大提高拋光液的活性和拋光液的利用率。這樣可以節(jié)約工藝成本，同時提高芯片的表面質(zhì)量，減少化學(xué)機械拋光工藝所帶來的環(huán)境污染。本課題的任務(wù)是對原霧化液拋光裝置進行改進，并設(shè)計一個能對拋光芯片中心進行測量的機構(gòu)。也為后續(xù)的如拋光液研制，拋光機理的研究等提供幫助。本研究得到了國家自然科學(xué)基金的支持。
關(guān)鍵詞：化學(xué)機械拋光 (CMP)；超聲精細霧化；測量系統(tǒng)；進氣系統(tǒng)。
目錄 摘要 ABSTRACT 第1章 緒論-1 1.1化學(xué)機械拋光技術(shù)-1 1.2化學(xué)機械拋光技術(shù)發(fā)展狀況-2 1.2.1國內(nèi)發(fā)展情況-2 1.2.2 國外發(fā)展情況-2 1.2.3 存在的問題-3 1.3課題的來源和意義-4 1.3.1 課題的來源-4 1.3.2 課題的意義-4 1.4本課題的研究內(nèi)容-5 第2章超聲霧化進氣系統(tǒng)總體改進方案設(shè)計-7 2.1原供氣系統(tǒng)的工作原理-7 2.2 原供氣系統(tǒng)的不足-8 2.3 改進方案設(shè)計-8 2.4 系統(tǒng)工藝參數(shù)的調(diào)整與匹配-13 2.2.1 材料的選擇-13 2.4.2 配合-14 2.4.3 設(shè)計計算-14 第3章 硅片中心測量裝置的設(shè)計-17 3.1 夾具設(shè)計-17 3.1.1固定軸的最大擺幅角計算-18 3.1.2夾具的有限元分析-18 3.1.3夾具設(shè)計的優(yōu)點-21 3.2 測量裝置的設(shè)計-22 3.1.2擺動角的測量-22 3.1.2硅片中心與擺動中心距離的測量裝置設(shè)計-23 3.3 不足之處-25 3.4 夾具的表面處理-25 第4章 結(jié)論和展望-27 4.1 結(jié)論與不足-27 4.2 展望-28 第5章 致謝-29 參考文獻-31 |
