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摘要：碳化硅晶體具有各種遠(yuǎn)優(yōu)于其他晶體的性能，如耐擊穿、高熱導(dǎo)率、高鍵和能，通常作為制造大功率、抗輻射照、高溫等器件和電路的理想材料。本論文將通過對不同摻雜的碳化硅晶體樣品的紅外光譜測量，分析實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，研究不同摻雜的碳化硅晶體的紅外光譜特性，研究其光譜變化以及摻雜對碳化硅晶體材料的光學(xué)性質(zhì)的影響。對于碳化硅光電器件，材料光學(xué)性質(zhì)的表征是十分重要的一個(gè)方面。成熟的碳化硅晶體制備技術(shù)可以為其光學(xué)性質(zhì)研究提供不同類型的高質(zhì)量碳化硅晶體樣品，并且此研究工作對碳化硅晶體材料光學(xué)性質(zhì)表征、相關(guān)器件的性能評估及應(yīng)用具有重要的參考價(jià)值。本文的實(shí)驗(yàn)測量結(jié)果顯示碳化硅樣品摻氮量、對碳化硅樣品的拋光和退火處理等影響了紅外光的透射率和特征峰的位置。
關(guān)鍵詞：碳化硅晶體；摻雜；紅外光譜；表征
目錄 摘要 ABSTRACT 第一章 引言-1 1.1 碳化硅晶體的特性-1 1.2 碳化硅晶體的制備方法-2 1.3 碳化硅晶體的常用表征方法-3 第二章 碳化硅晶體中紅外光譜研究-10 2.1 中紅外光譜介紹-11 2.2 幾種碳化硅樣品的中紅外光譜測量結(jié)果分析-12 第三章 結(jié)論-15 3.1 碳化硅晶體紅外光譜研究結(jié)論-15 3.2 未來碳化硅晶體紅外光譜研究的展望-15 參考文獻(xiàn)-16 致 謝-17 |
